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MOSFET场效应管的基本常识

          1.G栅极 D漏极 S源极 这图里面的MOS管是N沟道的，工作原理:只要G上的电压比S上的电压大5-6V，MOS管就开始导通，就有电流从S流向D.2.G接高低电平（确切说是驱动电压），D接电源（高电位），S接下面的负载或低电位。3.可以控制的开关电路*大电压是多少取决于MOSFET的*高耐压值，耐压值有多大，就能控制多大电压的电路。
          2.功率MOSFET的工作原理截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
 
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